[发明专利]缺陷检测元件及其检测和制造方法无效
| 申请号： | 200510082130.5 | 申请日： | 2005-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN1889242A | 公开（公告）日： | 2007-01-03 |
| 发明（设计）人： | 黄兴利;陈彦欣 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N27/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种缺陷检测元件的检测方法，包括：(a)于晶片上形成多个缺陷检测元件，其中各缺陷检测元件由下层的绝缘层与上层的导电层堆栈而成。(b)设定一缺陷检测参数，并且利用电子束(e－beam)扫描晶片，以得到多个缺陷信号。(c)确认缺陷信号的数目是否至少等于缺陷检测元件的数目。若缺陷信号的数目小于缺陷检测元件的数目，则重新调整缺陷检测参数，并重复步骤(b)～(c)，直到缺陷信号的数目至少等于缺陷检测元件的数目为止。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 检测 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种缺陷检测元件的检测方法，包括：(a)于一晶片上形成多个缺陷检测元件，且各该缺陷检测元件由下层的一绝缘层与上层的一导电层堆栈而成；(b)设定一缺陷检测参数，并且利用一电子束扫描该晶片，以得到多个缺陷信号；以及(c)确认该些缺陷信号的数目是否至少等于该些缺陷检测元件的数目，若该些缺陷信号的数目小于该些缺陷检测元件的数目，则重新调整该缺陷检测参数，并重复步骤(b)～(c)，直到该些缺陷信号的数目至少等于该些缺陷检测元件的数目为止。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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