[发明专利]半导体器件

摘要

本发明的课题是，提供可同时改善IGBT的工作和逆向导通功能这两者的特性的半导体器件。该半导体器件1A包括：在N－外延层5的表面层上隔开各P扩散区9、11而形成的P扩散区23；在P扩散区23的表面层上被P扩散区23包围而形成的N+扩散区25；在设置在N+扩散区25上的同时，与第1集电极电极19a连接的第2集电极电极19b；以及跨设在P扩散区23和N－外延层5上，构成从N－外延层5到P扩散区23的导电路径的电极27。

主权项

1.一种半导体器件，它是包括了：第1导电类型的半导体衬底；在上述半导体衬底的一侧主面上所形成的第2导电类型的半导体层；在上述半导体层的表面层上形成，同时经第1导电类型的半导体区与上述半导体衬底连接的第1导电类型的第1半导体区；在上述半导体层的表面层上隔开上述第1半导体区而形成的第1导电类型的第2半导体区；在上述第1半导体区的表面层上被上述第1半导体区包围而形成的第2导电类型的第3半导体区；在被上述第3半导体区和上述半导体层夹持的上述第1半导体区的表面部分隔着第1栅绝缘膜而设置的第1栅电极；在上述第2半导体区上设置的第1集电极电极；以及跨设在上述第1半导体区和上述第3半导体区上的发射极电极的半导体器件，其特征在于：包括：在上述半导体层的表面层上隔开上述第1半导体区和上述第2半导体区而形成的第1导电类型的第4半导体区；在上述第4半导体区的表面层上被上述第4半导体区包围而形成的第2导电类型的第5半导体区；在上述第5半导体区上设置，同时与上述第1集电极电极连接的第2集电极电极；以及跨设在上述第4半导体区和上述半导体层上，构成从上述半导体层到上述第4半导体区的导电路径的电极。