[发明专利]光纤及其评价和制造方法无效
| 申请号： | 200510081990.7 | 申请日： | 2005-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN1721352A | 公开（公告）日： | 2006-01-18 |
| 发明（设计）人： | 久留须一彦;森平英也;石田祯则 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C03C25/60 | 分类号： | C03C25/60;C03C25/68;G01N24/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 车文;顾红霞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种经过氘处理在约1400nm波长处具有较小损失增加的光纤、和一种确定光纤是否具有这种损失增加的评价方法，还提供一种具有这种较小损失增加的光纤的制造方法。根据本发明的光纤包括由至少掺有锗的二氧化硅玻璃构成的芯和由环绕该芯的二氧化硅玻璃构成的包层。将光纤暴露于包含氢或氘的气氛中使氢分子或氘分子扩散到光纤内，并随后将光纤的玻璃区域的外周蚀刻至约50μm的外径，然后当用电子自旋共振方法测量玻璃区域时，POR的电子自旋密度为1×1013spins/g或更小。 | ||
| 搜索关键词： | 光纤 及其 评价 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光纤，包括由至少掺有锗的二氧化硅玻璃构成的芯和由环绕该芯的二氧化硅玻璃构成的包层，其特征在于：在将光纤暴露于包含氢或氘的气氛中使氢分子或氘分子扩散到光纤内并随后将光纤的玻璃区域的外周蚀刻至约50μm的外径的处理后，当用电子自旋共振方法测量玻璃区域时，过氧基团的电子自旋密度为1×1013spins/g或更小。
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