[发明专利]制造快闪存储装置的方法

摘要

公开一种用以制造快闪存储装置的方法，其中在形成侧壁氧化物膜时控制屏蔽氧化物膜的再生长厚度。藉由一用以移除再生长氧化物膜的蚀刻工艺来减小元件隔离膜的宽度。此允许容易地保护一浮动栅极空间，且藉由一衬填氮化物膜预处理清洗工艺来降低侧壁氧化物膜的厚度。因此可保护渠沟空间，其有助于间隙充填。

主权项

1.一种用以制造快闪存储装置的方法，包括以下步骤：在一半导体衬底上形成一屏蔽氧化物膜及一衬垫氮化物膜；蚀刻该衬垫氮化物膜、该屏蔽氧化物膜及该半导体衬底以形成渠沟；在其中形成有所述渠沟的该半导体衬底的表面上形成侧壁氧化物膜，且以一方式再生长该屏蔽氧化物膜以具有一预定厚度；减小所述侧壁氧化物膜的一厚度；在包括所述渠沟的整个表面上形成一衬填氮化物膜；在所述渠沟内形成元件隔离膜；移除该衬填氮化物膜及该衬垫氮化物膜以曝露自该半导体衬底向上突出的所述元件隔离膜；蚀刻该整个表面使得移除该屏蔽氧化物膜，藉此减小由于该衬垫氮化物膜的该移除而被曝露的所述元件隔离膜的宽度；及形成具有隧道介电膜的浮动栅极，其散布于相邻元件隔离膜之间。