[发明专利]层迭式半导体存储器件

摘要

一种三维半导体存储器件，用于降低在数据传送过程中充电和放电不可避免的互连电容以及降低功耗，它包括：多个存储器单元阵列芯片，其中的存储体存储器被分成子存储体，子存储体的组织和设置是根据输入/输出比特进行的，芯片层迭在第一半导体芯片上；以及芯片间互连线，用于连接所述存储器单元阵列，使得子存储体的相应的输入/输出比特是一样的，芯片间互连线的数目是根据输入/输出比特的数目，芯片间互连线沿层迭的方向穿过存储单元器阵列芯片。

主权项

1、一种层层迭式半导体存储器件，其特征在于，包括：存储单元阵列芯片，层迭在第一半导体芯片上，其中的存储体存储器被分成子存储体，所述子存储体的组织和设置是根据输入/输出比特进行的；和芯片间互连线，用于把所述存储器单元阵列芯片连接于所述第一半导体芯片，所述芯片间互连线的数目是按照所述输入/输出比特的数目，所述芯片间互连线沿层迭的方向穿过所述存储器单元阵列芯片。