[发明专利]不可逆电路元件无效
| 申请号： | 200510081443.9 | 申请日： | 2005-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1719658A | 公开（公告）日： | 2006-01-11 |
| 发明（设计）人： | 远藤谦二;仓桥孝秀;边见荣;大波多秀典 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01P1/32 | 分类号： | H01P1/32;H01F1/34;H01F10/24 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种提高不可逆元件的温度特性的技术。一种不可逆电路元件，其特征在于，包括石榴石型铁氧体材料和对石榴石型铁氧体材料施加直流磁场的永久磁铁；当石榴石型铁氧体材料在温度T1下的饱和磁化为S11时，在温度T2下的饱和磁化为S12，在温度T3下的饱和磁化为S13，当永久磁铁在温度T1下的饱和磁化为S21时，在温度T2下的饱和磁化为S22，在温度T3下的饱和磁化为S23时，具有|(S12－S11)/(T2－T1)|＜|(S22－S21)/(T2－T1)|、|(S13－S12)/(T3－T2)|＞|(S23－S22)/(T3－T2)|的关系，其中，T1＜T2＜T3，饱和磁化S11、S12、S13、S21、S22、S23是在温度T2下的饱和磁化为1时的相对值。 | ||
| 搜索关键词： | 可逆 电路 元件 | ||
【主权项】：
1、一种不可逆电路元件，其特征在于，包括石榴石型铁氧体材料和对上述石榴石型铁氧体材料施加直流磁场的永久磁铁，当上述石榴石型铁氧体材料在温度T1下的饱和磁化为S11、在温度T2下的饱和磁化为S12、在温度T3下的饱和磁化为S13，且上述永久磁铁在温度T1下的饱和磁化为S21、在温度T2下的饱和磁化为S22、在温度T3下的饱和磁化为S23时，其中，T1＜T2＜T3，饱和磁化S11、S12、S13、S21、S22、S23是在温度T2下的饱和磁化为1时的相对值，具有以下关系：|(S12-S11)/(T2-T1)|＜|(S22-S21)/(T2-T1)|；|(S13-S12)/(T3-T2)|＞|(S23-S22)/(T3-T2)|。
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