[发明专利]电子发射装置及其制造方法无效
申请号: | 200510081370.3 | 申请日: | 2005-06-28 |
公开(公告)号: | CN1725418A | 公开(公告)日: | 2006-01-25 |
发明(设计)人: | 黄成渊 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
主分类号: | H01J3/02 | 分类号: | H01J3/02;H01J29/02;H01J9/02;H01J31/12 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开了一种电子发射装置及其制备方法。该电子发射装置包括:形成于基板上的电子发射区;多个驱动电极,用于控制从电子发射区的电子发射;聚焦电极,设置于与任何一个驱动电极所在的同一平面上并与驱动电极间隔开预定距离。聚焦电极的部分具有比驱动电极要大的厚度。设置于同一平面的聚焦电极和驱动电极是用彼此平行前行的直线部分和多个从直线部分相对延伸的延伸部分形成,并且聚焦电极的延伸部分和驱动电极的延伸部分在基板的一方向上交替重复。 | ||
搜索关键词: | 电子 发射 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种电子发射装置,包括:电子发射区,形成于基板上;多个驱动电极,用于控制从所述电子发射区的电子发射;聚焦电极,设置于与任何一个所述驱动电极所在的同一平面上并与所述驱动电极间隔开预定距离,部分的所述聚焦电极具有比所述驱动电极更大的厚度;其中,所述设置于同一平面的聚焦电极和驱动电极是用彼此平行前行的直线部分和多个从所述直线部分相向延伸的延伸部分形成,并且所述聚焦电极的延伸部分和所述驱动电极的延伸部分在所述基板的一方向上交替重复。
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