[发明专利]半导体存储元件及其制作方法

摘要

本发明提供一种半导体存储元件及其制作方法，半导体存储元件包含有一半导体基板以及多个储存单元设于半导体基板上，各储存单元包含有一深沟槽设于半导体基板上以及一电容设于深沟槽的底部，深沟槽中另设有一颈氧化层，其包含有一第一侧壁与一第二侧壁，该第一侧壁边顶部的高度约略等于该基板表面，而该第二侧壁边顶部的高度约略与电容相等，深沟槽内电容与颈氧化层的第二侧壁边上方另设有一埋藏式导电层，且半导体基板内邻接于该埋藏式导电层处则设有一埋藏式导电带，半导体存储元件另包含有一金属氧化半导体晶体管设于半导体基板表面，并经由埋藏式导电带与埋藏式导电层电连接至电容。

主权项

1.一种半导体存储元件的制作方法，其包含有；提供一半导体基板，该半导体基板表面具有多个深沟槽，各该深沟槽包含有一第一侧、相对于该第一侧的一第二侧以及一第三侧位于该第一侧与该第二侧之间，该半导体基板表面并定义有多个有源区域，设于各该深沟槽之上，且与该深沟槽部分重叠；于各该深沟槽内形成一颈氧化层，该颈氧化层包含有一第一侧壁、一第二侧壁以及一第三侧壁，分别邻接于各该深沟槽的该第一侧、该第二侧以及该第三侧；于各该深沟槽底部形成一电容，该电容包含有一下电极、一上电极以及一介电层位于该下电极与该上电极之间，该上电极的顶部高度高于该颈氧化层的底部高度，但低于该颈氧化层的顶部高度；部分移除该颈氧化层的该第二侧壁，以使该第二侧壁的顶部高度低于该第一侧壁的顶部高度；于该上电极与该第二侧壁的上方形成一埋藏式导电层；于该半导体基板内邻近该深沟槽的该第二侧边处形成一埋藏式导电带，该埋藏式导电带是邻接于该埋藏式导电层；以及于该半导体基板表面邻近于该深沟槽的该第二侧边处形成一晶体管，各该晶体管包含有一源极、一漏极以及一栅极，且该漏极是经由该埋藏式导电带以及该埋藏式导电层电连接至该电容的该上电极。