[发明专利]薄膜晶体管的制造方法与修补多晶硅膜层之缺陷的方法

摘要

一种薄膜晶体管的制造方法与修补多晶硅膜层之缺陷的方法，此薄膜晶体管的制造方法是先在基板上形成多晶硅层，且此多晶硅层具有第一待掺杂区、第二待掺杂区以及通道区。其中，通道区是位于第一待掺杂区与第二待掺杂区之间。然后，进行掺氮工艺，以将氮掺入该多晶硅层。继之，在多晶硅层上依序形成栅绝缘层与栅极，其中栅绝缘层与栅极均位于通道区上方。接着，进行掺杂工艺，以使第一待掺杂区与第二待掺杂区分别成为源极区与漏极区。掺有氮的多晶硅层内会产生Si－N键，其可修补多晶硅层内的缺陷，进而降低载流子在通道区内被攫取的机率。

主权项

1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于包括：在基板上形成多晶硅层，该多晶硅层具有通道区、第一待掺杂区以及第二待掺杂区，其中该通道区是位于该第一待掺杂区与该第二待掺杂区之间；进行掺氮工艺，以将氮掺入该多晶硅层；依序在该多晶硅层上形成栅绝缘层与栅极，其中该栅极是位于该通道区上方；以及进行掺杂工艺，以使该第一待掺杂区与该第二待掺杂区分别成为源极区与漏极区。