[发明专利]使用固相外延的半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200510080424.4 | 申请日： | 2005-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN1893055A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 安台恒 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨红梅 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了半导体器件单元区域和外围电路区域中的一种接触塞及其制造方法。该半导体器件包括：使用固相外延(SPE)法的外延层；外延层上的第一金属层；第一金属层上的氮化物基阻挡金属层；阻挡金属层上的第二金属层；和后退火处理之后在外延层和第一金属层之间形成的金属硅化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 外延 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括；使用固相外延(SPE)法的外延层；外延层上的第一金属层；第一金属层上的氮化物基阻挡金属层；阻挡金属层上的第二金属层；和后退火处理之后，在外延层和第一金属层之间形成的金属硅化物层。
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