[发明专利]半导体封装及其制造方法无效
| 申请号： | 200510080225.3 | 申请日： | 2005-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1716579A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 冨田道和;末益龙夫;平船沙亚卡 | 申请（专利权）人： | 株式会社藤仓 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体封装，包括：第一衬底，其包括：半导体基底材料，其具有第一侧面和第二侧面；功能元件，其提供在半导体基底材料的第一侧面上；第一导线；引脚，其通过第一导线与功能元件电连接；贯通孔互连，其与引脚电连接，并提供在从半导体基底材料的第一侧面穿透该半导体基底材料到其第二侧面所限定的孔中，所述的贯通孔互连包括第一绝缘膜和在第一绝缘膜上形成的第一导电材料；和密封材料，其提供来包围功能元件；第二衬底，其通过密封材料与第一衬底的第一侧面粘合。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装，包括：第一衬底，其包括：半导体基底材料，其具有第一侧面和第二侧面；功能元件，其提供在半导体基底材料的第一侧面上；第一导线；引脚，其通过第一导线电连接至所述功能元件；贯通孔互连，其电连接至引脚，并被提供在从半导体基底材料的第一侧面穿透所述半导体基底材料到其第二侧面所限定的孔中，所述的贯通孔互连包括第一绝缘膜和在第一绝缘膜上形成的第一导电材料；和密封材料，其提供来包围功能元件；第二衬底，其通过密封材料与第一衬底的第一侧面粘合，其中所述的第一绝缘膜包括提供在半导体基底材料的第二侧面上的第二绝缘膜；提供在半导体基底材料的外侧表面上的第三绝缘膜；和提供在密封材料的外侧表面上的第四绝缘膜。
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