[发明专利]介电层、其形成方法与具有此介电层的集成电路有效
| 申请号： | 200510080146.2 | 申请日： | 2005-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1716546A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 黎丽萍;章勋明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种介电层、其形成方法与具有此介电层的集成电路，所述介电层包括：一顶部部分；以及一底部部分，其中上述介电层具有由顶部部分往底部部分大体均匀地变化的密度。本发明所述介电层、其形成方法与具有此介电层的集成电路，可允许调整金属层间介电层的密度特性以改善其步阶覆盖表现，并同时允许调整残余的金属层间介电层以改善其电性/介电常数特性。 | ||
| 搜索关键词： | 介电层 形成 方法 具有 集成电路 | ||
【主权项】：
1、一种介电层，其特征在于所述介电层包括：一顶部部分；以及一底部部分，其中该介电层具有由该顶部部分往该底部部分均匀地变化的密度。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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