[发明专利]半导体集成电路器件有效
| 申请号： | 200510079129.7 | 申请日： | 2005-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN1750171A | 公开（公告）日： | 2006-03-22 |
| 发明（设计）人： | 前田德章;篠崎义弘;山冈雅直;岛崎靖久;礒田正典;新居浩二 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种设有SRAM的半导体集成电路器件，它以低供给电压满足SNM和写余量的需求。该半导体集成电路器件包括：对应多个字线和多个互补位线设置的多个静态存储单元；多个存储单元电源线，每个存储单元电源线向连接到多个互补位线的每个的多个存储单元的每个供给工作电压；由电阻单元构成的多个电源电路，每个电源电路向每个存储单元电源线供给电源电压；和向互补位线供给对应电源电压的预充电电压的预充电电路，其中存储单元电源线构成为具有耦合电容，由此在相应互补位线上传输写信号。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 器件 | ||
【主权项】：
1、一种设有静态RAM的半导体集成电路器件，包括：多个字线；多个互补位线；对应所述多个字线和多个互补位线设置的多个静态存储单元；多个存储单元电源线，每个存储单元电源线向连接到所述多个互补位线的每个的所述多个存储单元中的每个供给工作电压；多个电源电路，每个电源电路向所述多个存储单元电源线的每个供给电源电压；和向所述互补位线供给对应于所述电源电压的预充电电压的预充电电路，其中所述存储单元电源线被构成为具有耦合电容，由此传输相应互补位线的写信号，和其中每个电源电路由电阻装置构成。
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