[发明专利]半导体衬底及其制造工艺有效
| 申请号： | 200510079111.7 | 申请日： | 2005-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN1716577A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 迪尔克·丹特兹;安德烈亚斯·许贝尔;赖因霍尔德·沃利施;布里安·默菲 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L21/762;H01L21/20;H01L27/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造半导体衬底的工艺，该半导体衬底包括载体晶圆(2)和该载体晶圆(2)一侧上的单晶体半导体材料层(8)，该工艺包括依照顺序给出的下列步骤：在由所述单晶体半导体材料制成的施主晶圆(1)的表面产生含有凹穴(3)的层；将含有凹穴(3)的所述施主晶圆(1)的所述层与所述载体晶圆(2)结合；进行热处理以封闭所述载体晶圆(2)与所述施主晶圆(1)之间界面(4)处的所述凹穴(3)，从而在所述施主晶圆(1)内形成空穴(6)层；以及沿着所述空穴(6)层分离所述施主晶圆(1)，从而在所述载体晶圆(2)上保留的是由所述半导体材料所组成的层(8)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种制造半导体衬底的工艺，该半导体衬底包括载体晶圆(2)和在所述载体晶圆(2)一侧上的单晶体半导体材料层(8)，该工艺包括依照顺序给出的如下步骤：a)在由所述单晶体半导体材料制成的施主晶圆(1)的表面产生含有凹穴(3)的层，b)将含有凹穴(3)的所述施主晶圆(1)的所述层与所述载体晶圆(2)结合，c)进行热处理以封闭所述载体晶圆(2)与所述施主晶圆(1)之间界面(4)处的所述凹穴(3)，从而在所述施主晶圆(1)内形成空穴(6)层，以及d)沿着所述空穴(6)层分离所述施主晶圆(1)，从而在所述载体晶圆(2)上保留的是由所述半导体材料所组成的层(8)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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