[发明专利]用于半导体器件的互连结构及其形成方法有效
| 申请号： | 200510078841.5 | 申请日： | 2005-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN1722427A | 公开（公告）日： | 2006-01-18 |
| 发明（设计）人： | 朴镇泽;朴钟浩;许星会;金贤锡 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种用于半导体器件的互连结构，包括布置在半导体衬底上的层间绝缘层。贯穿所述层间绝缘层的第一接触结构。贯穿所述层间绝缘层的第二接触结构。使第一接触结构连接到所述层间绝缘层上的第二接触结构的金属互连。所述第一接触结构包括依次层叠的第一和第二栓塞，以及所述第二接触结构包括第二栓塞。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 互连 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体器件的互连结构，包括：布置在半导体衬底上的层间绝缘层；贯穿所述层间绝缘层的第一接触结构；贯穿所述层间绝缘层的第二接触结构；以及金属互连，在所述层间绝缘层上使所述第一接触结构连接到所述第二接触结构；其中所述第一接触结构包括依次层叠的第一和第二栓塞，以及所述第二接触结构包括第二栓塞。
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