[发明专利]薄膜上倒装片封装结构无效
| 申请号： | 200510078388.8 | 申请日： | 2005-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN1885514A | 公开（公告）日： | 2006-12-27 |
| 发明（设计）人： | 沈更新;蔡坤宪 | 申请（专利权）人： | 南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L23/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜上倒装片封装结构，其包括挠性基底、倒装片及第一散热片。挠性基底具有上表面和下表面。倒装片被固定于挠性基底的上表面上，并且与挠性基底形成电连接。第一散热片被设置于挠性基底下表面上，用以散逸倒装片工作过程中所产生的热量。此外，第一散热片亦有提高封装结构的强度的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 倒装 封装 结构 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜上倒装片封装结构，包括：挠性基底，该挠性基底具有上表面及下表面；倒装片，该倒装片被固定于所述挠性基底的上表面上，并且与所述挠性基底形成电连接；及第一散热片，该第一散热片被设置于所述挠性基底的下表面上，用以散逸所述倒装片工作过程中所产生的热量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司，未经南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510078388.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发光二极管及其制造方法
- 下一篇：底板双侧翻转自卸车
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
