[发明专利]半导体存储装置和刷新周期控制方法有效
| 申请号： | 200510078378.4 | 申请日： | 2005-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN1728277A | 公开（公告）日： | 2006-02-01 |
| 发明（设计）人： | 伊藤丰;桥本刚 | 申请（专利权）人： | 尔必达存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/401 | 分类号： | G11C11/401;G11C11/406 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陆锦华;樊卫民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体存储装置。具有搭载了BIST电路，对监视比特区域按每刷新周期进行读出、写入，从而按该刷新周期来测量错误率(错误计数)的错误率测量电路，具有进行刷新周期的延长、缩短控制，从而获得规定错误率的控制电路。BIST电路给出内部指令、内部地址，是从内部使DRAM动作的电路，进行希望的数据写入·读出、期待值比较(错误判断)、错误计数。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 刷新 周期 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，其特征在于具有：包括阵列状的为了数据保持而需要刷新动作的多个存储单元的存储器阵列；进行对所述存储器阵列内的预定的多个存储单元(称为「监视单元」)分别写入规定数据的控制的电路；进行从写入了所述规定数据的所述多个监视单元，在经过了刷新周期或比所述刷新周期还短的规定期间时，读出数据的控制的电路；以及对来自所述监视单元的读出数据和所述规定数据进行比较，测量错误计数或错误率，根据所述错误计数或错误率的测量结果，对刷新周期进行可变控制的电路。
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