[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200510078018.4 | 申请日： | 2005-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN1716589A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 岛津博美;岩崎富生;太田裕之;石川宪輔;井上修;大岛隆文 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 岳耀锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种半导体器件，可以抑制在以铜为主要构成材料的布线结构中因应力迁移而引起的空隙产生且可靠性高。在半导体衬底上的绝缘膜上形成的多层布线结构中，布线结构为：以与以铜为主要构成材料构成的第一布线的上表面相接的方式，从下依次至少层叠阻挡性高且具有压缩应力的第一绝缘膜、具有拉伸应力的第二绝缘膜、比上述第一绝缘膜和上述第二绝缘膜介电常数低的第三绝缘膜，设置通孔以便贯通上述第一绝缘膜、第二绝缘膜及第三绝缘膜并与上述第一布线连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，其特征在于，包括：在半导体衬底上隔着绝缘膜设置的、以铜为主要构成材料构成的第一布线；在上述第一布线上设置的、对第一布线的铜具有阻挡性的第一绝缘膜；在上述第一绝缘膜上设置的、具有与上述第一绝缘膜的膜应力符号相反的应力的第二绝缘膜；在上述第二绝缘膜上设置的第三绝缘膜；贯通上述第三至第一绝缘膜，在第一布线上设置的通路；以及通过上述通路与上述第一布线连接的第二布线。
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