[发明专利]设计半导体器件的计算机方法、自动设计系统和半导体器件无效
| 申请号： | 200510077868.2 | 申请日： | 2005-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN1707775A | 公开（公告）日： | 2005-12-14 |
| 发明（设计）人： | 奥村淳之 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种用于设计半导体器件的计算机执行的方法，包括：布置一第一引线图形，在第一引线图形的上层布置一个第二引线图形；在第一和第二引线图形的交点上分配一个第一过孔图形；产生一个凸出引线图形；在凸出引线的端部分配一个第二过孔图形，使第一引线图形容纳包括第一和第二过孔图形的初步双道过孔；且用初步双道过孔替换单道过孔。 | ||
| 搜索关键词： | 设计 半导体器件 计算机 方法 自动 系统 | ||
【主权项】：
1.一种用于设计半导体器件的计算机执行的方法，其特征在于，包括：在一芯片区域布置一第一引线图形，在第一引线图形的上层布置一个第二引线图形，使第二引线图形的纵向与第一引线图形的纵向斜着相交；在第一和第二引线图形的交点分配一个第一过孔图形；产生一个凸出地与第二引线图形的纵向垂直的凸出引线图形；在与第一引线图形相连的凸出引线图形的端部分配一个第二过孔图形，从而第一引线图形容纳包括第一和第二过孔图形的初步双道过孔；且提取第一过孔图形和根据第一过孔图形的几何环境，用从双道过孔数据几何文件中所存储的多个初步双道过孔提取新的双道过孔替换第一过孔图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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