[发明专利]抑制在集成电路中形成金属间化合物夹杂物的方法无效
| 申请号： | 200510077536.4 | 申请日： | 2005-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN1728357A | 公开（公告）日： | 2006-02-01 |
| 发明（设计）人： | 康圣权;D－Y·史;Y－C·孙 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在无铅互连中使用Ni(P)和富锡焊料时，可以通过在无电镀Ni(P)金属化层上提供防止反应或控制层，例如在Ni(P)层上施加锡薄层或者在Ni(P)层上施加铜薄层，来预防或控制金属间化合物夹杂物的形成。 | ||
| 搜索关键词： | 抑制 集成电路 形成 金属 化合物 夹杂 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在熔接温度漂移期间抑制第一和第二相邻层的潜在不希望相互作用的方法，其中在集成电路互连结构的制造过程中，通过使不同用途的金属叠层经受所述熔接温度漂移，使所述叠层熔接在一起，该方法包括以下步骤：暴露所述潜在相互作用层的所述第一层的表面；在所述潜在相互作用层的所述第一层的所述暴露表面上施加金属保护层，该金属保护层在所述熔接温度漂移期间具有至少一种对于所述相互作用的抑制特性；在所述保护层上施加所述第一和第二潜在相互作用层的所述第二层；以及使所述第一层、所述保护层和所述第二层的组装叠层经受所述熔接温度漂移。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
