[发明专利]半导体器件

摘要

本发明提供一种半导体器件。以往，在完全耗尽型MISFET中，当单晶SOI层薄到数十纳米左右时，用杂质浓度进行的阈值电压Vth的控制在原理上存在极限，难以在互补型MISFET中同时实现p型和n型这两者所期望的Vth。为此，本发明使MISFET的栅极绝缘膜为金属氧化物(4)与氧氮化膜(3)的叠层，栅极电极(5)用导电类型与源极和漏极(6)相同的多晶硅半导体膜形成。利用在栅极绝缘膜和半导体膜的栅极电极上产生的平带电压的漂移，可以同时实现增强型的所期望的Vth。与利用杂质浓度控制Vth的情况相比，由于可以减小由对1个MISFET的杂质个数的统计上的波动导致的阈值电压Vth的差异，故可以把Vth、电源电压都设定得较低。

主权项

1.一种半导体器件，具有场效应晶体管，该场效应晶体管包括：半导体衬底、在上述半导体衬底上中间隔着绝缘膜形成的半导体层、在上述半导体层上形成的源极区域和漏极区域、在上述源极区域与漏极区域之间形成的沟道区域、在上述沟道区域上部形成的栅极绝缘膜、以及中间隔着上述栅极绝缘膜形成的栅极电极，该半导体器件的特征在于：上述栅极绝缘膜是使用具有比硅氧化膜高的介电常数的金属氧化物形成的栅极绝缘膜，上述栅极电极，包括具有与上述源极区域和漏极区域相同的导电类型的半导体膜、或者依次重叠了上述半导体膜和高熔点金属膜的层叠构造、或者依次重叠了上述半导体膜和高熔点金属硅化物膜的层叠构造中的任意一种。