[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200510077149.0 | 申请日： | 2005-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN1713057A | 公开（公告）日： | 2005-12-28 |
| 发明（设计）人： | 崔荣锡;安炳龙;庾弘宇;曹基述 | 申请（专利权）人： | LG.菲利浦LCD株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;H01L29/786;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。该薄膜晶体管阵列基板不需要保护膜来保护薄膜晶体管，由此降低了制造成本。在该薄膜晶体管阵列基板中，栅极与选通线相连。源极与数据线相连，该数据线与选通线交叉以限定像素区域。漏极与源极相对，并且其间具有沟道。半导体层位于该沟道中。像素区域中的像素电极在该像素电极与漏极之间的基本上整个交叠区域中与漏极接触。在半导体层上与沟道相对应的设置沟道保护膜，以保护半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜晶体管阵列基板，其包括：与选通线相连的栅极；与数据线相连的源极，该数据线与所述选通线交叉，以限定像素区域；与所述源极相对的漏极，其间具有沟道；所述沟道中的半导体层；位于所述像素区域中的像素电极，与所述漏极交叠的基本上所有的像素电极都与所述漏极接触；以及设置在所述半导体层上，与所述沟道相对应的沟道保护膜，用于保护所述沟道中的所述半导体层。
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