[发明专利]等离子体处理方法及后处理方法有效
| 申请号： | 200510077064.2 | 申请日： | 2005-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN1734724A | 公开（公告）日： | 2006-02-15 |
| 发明（设计）人： | 清水昭贵 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H05H1/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供不仅能够防止处理腔室内的腐蚀，也能够防止搬运系统中的腐蚀的等离子体处理方法及后处理方法。对腔室内的被处理体进行等离子体处理的等离子体处理方法，其特征在于，包括：将至少含有卤素的气体等离子体化，用生成第一等离子体对被处理体进行处理的第一等离子体处理；在第一等离子体处理之后，向所述腔室内供给含氧气体，生成第二等离子体，对所述腔室以及被处理体进行处理的第二等离子体处理；将至少含有氮和氢的气体等离子体化，用生成的第三等离子体对经过第二等离子体处理后的被处理体进行处理的第三等离子体处理。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理方法，是对腔室内的被处理体进行等离子体处理的等离子体处理方法，其特征在于，包括：将至少含有卤素的气体等离子体化，用生成的第一等离子体对被处理体进行处理的第一等离子体处理；在第一等离子体处理之后，向所述腔室内供给含有氧的气体，生成第二等离子体，对所述腔室以及被处理体进行处理的第二等离子体处理；将至少含有氮和氢的气体等离子化，用生成的第三等离子体对经过第二等离子体处理后的被处理体进行处理的第三等离子体处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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