[发明专利]一种顶出光电极及其制备方法无效
| 申请号： | 200510077056.8 | 申请日： | 2005-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN1881645A | 公开（公告）日： | 2006-12-20 |
| 发明（设计）人： | 秦国刚;马国立;冉广照;徐爱国;乔永平 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L51/10 | 分类号： | H01L51/10;H01L51/40;H01L33/00;H05B33/26;H05B33/10 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100871北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种顶出光电极及其制备方法。本发明所提供的顶出光电极，包括衬底和位于衬底上的有机发光层，其中，有机发光层上设有稀土元素层，在稀土元素层上还设有该稀土元素与Au或Ag的复合层。本发明用低功稀土元素/低功稀土元素：Au或Ag复合层作为顶出光电极的上电极材料，可以兼顾透光率、稳定性和低成本等要素，该电极可以用普通的真空蒸镀方法(10－5托)来完成，制备方法简单；而外层的低功稀土元素：Au或Ag复合层导致的光吸收和光反射都较Ag层小，且不易被氧化，从而较好保证了器件的电稳定性和发光稳定性，同时又有较好的防止水汽透入有机层的作用。本发明的顶出光电极可广泛应用于无机薄膜、半导体发光，光电器件和光探测器等方面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 顶出光 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种顶出光电极，包括衬底和位于衬底上的有机发光层，其特征在于：所述有机发光层上设有稀土元素层，在所述稀土元素层上还设有所述稀土元素与Au或Ag的复合层。
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