[发明专利]一种制备高孔隙率多孔碳化硅陶瓷的方法

摘要

本发明公开了属于陶瓷材料制备技术领域的一种高孔隙率多孔碳化硅陶瓷的制备方法。首先采用包混工艺将一定质量比的硅粉、酚醛树脂和酒精制备包混粉体，其次将包混粉体进行低温低压成型制备陶瓷生坯，接着高温碳化处理陶瓷生坯，最后将碳化处理样品进行高温烧结获得孔隙率大于80％的多孔碳化硅陶瓷。本方法工艺简单、生产效率高、节能、环境相容性好，是一种能够制备高孔隙率多孔碳化硅陶瓷的方法。

主权项

1.一种高孔隙率多孔碳化硅陶瓷的制备方法，所述方法以硅粉、酚醛树脂和酒精为原料，经过包混工艺、低温低压成型、高温碳化处理及高温烧结四个步骤处理后，得到高孔隙率多孔碳化硅陶瓷材料，其特征在于：具体工艺步骤为：1)按硅粉、酚醛树脂和酒精的质量比1∶0.25～1.1∶2混合成浆料；2)制备包混粉体：将混合浆料在30～80℃进行热处理，并搅拌30～120min；然后冷却到10℃以下，再在0～10℃范围内冷处理，同时搅拌10～60min；将混合浆料注射入水中，注射压力0.2～1.2MPa；并在30～90℃进行老化处理，搅拌时间30～120min；真空干燥温度为40～100℃，干燥时间为30～120min；3)低温低压成型陶瓷生坯：成型温度60～100℃；成型压力0.05～0.2MPa；保温时间30～120min；4)陶瓷生坯的碳化处理：碳化温度600～1000℃；升温速率0.3～1℃/min；氩气流量50～200ml/min，保温时间1～4h；5)高温烧结处理：烧结温度1300～1800℃；升温速率1-5℃/min；在流量为50～200ml/min的氩气保护或在真空条件下；保温时间1～8小时。