[发明专利]一种自动适应工艺特征尺寸的互连寄生电容提取方法无效
| 申请号: | 200510076959.4 | 申请日: | 2005-06-13 |
| 公开(公告)号: | CN1881562A | 公开(公告)日: | 2006-12-20 |
| 发明(设计)人: | 戴斌华;侯劲松 | 申请(专利权)人: | 北京中电华大电子设计有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;G06F17/50 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 10001*** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 一种自动适应工艺特征尺寸的互连寄生电容提取方法,属于集成电路计算机辅助设计中互连线寄生参数提取技术领域。该方法切割版图时设置扫描带宽度随工艺特征尺寸等比例缩小以节约内存;切割后根据工艺特征尺寸在水平方向减少环境导体以提高电容提取速度,及在高度方向增加环境导体以提高提取精度;然后取形体表面边长除以工艺特征尺寸的相对长度做边界元划分以提高提取精度;最后求解离散后的边界积分方程得到导体间的寄生电容;从整体上成倍的提高互连寄生电容提取程序的性能。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 自动 适应 工艺 特征 尺寸 互连 寄生 电容 提取 方法 | ||
【主权项】:
1.一种互连寄生电容提取方法,从版图中切割关键线网周围一定范围的导体和介质作为二维仿真环境,然后在二维仿真环境上结合工艺文件建立三维互连寄生电容模型,最后用边界元法计算该电容模型得到关键线网的寄生电容。其特征是:针对输入版图的工艺特征尺寸优化寄生电容提取的以下环节:关键线网二维仿真环境的切割,三维互连寄生电容模型的建立,边界元法计算时的边界元划分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京中电华大电子设计有限责任公司,未经北京中电华大电子设计有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510076959.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:烟叶配方库新增入库站台的控制方法
- 下一篇:大蒜丛生芽诱导的培养基
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





