[发明专利]光刻装置及器件制造方法有效

专利信息
申请号: 200510076586.0 申请日: 2005-06-07
公开(公告)号: CN1707364A 公开(公告)日: 2005-12-14
发明(设计)人: K·Z·特鲁斯特;A·J·布里克 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;H01L21/027
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 杨凯;王忠忠
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 包括衬底和并执行至少一步曝光的器件制造系统和方法,将图案化的包括多个像素的辐射束投射到衬底的目标部分。各步曝光中:(a)正常地控制单元,使各像素在该曝光步骤向目标部分提供的辐射剂量不大于预定正常最大剂量;(b)特别地控制单元,使至少一个选中像素提供超过正常最大剂量的增大剂量。增大剂量用以补偿该阵列中已知位置的缺陷单元对与选中像素邻近像素的影响,或补偿在选中像素处的目标部分在另一曝光中在受已知缺陷单元影响的像素下曝光导致的曝光不足。最大为预定正常最大剂量的剂量用于正常印刷,至少一个增大剂量用于补偿。即使黑死像素在白像素中间,仍可通过增加由邻近白像素提供的超过正常全白值的剂量来补偿。
搜索关键词: 光刻 装置 器件 制造 方法
【主权项】:
1.一种器件制造方法,包括以下步骤:(a)用一个单独可控单元阵列将辐射投影束图案化;(b)将已图案化投影束投射到衬底的目标部分上,被投射的已图案化投影束包含多个像素;(c)对单元进行控制,使得多个像素中的每个像素向目标部分提供小于或等于预定剂量的第一辐射剂量;以及(d)对单元进行控制,使得多个像素中的至少一个选中像素提供大于预定剂量的第二辐射剂量,对至少下列一种情况至少部分地实施补偿:(1)在所述单独可控单元阵列中的已知位置上的一个缺陷单元对邻近选中像素的多个像素中的一个像素的影响,以及(2)在对应于该选中像素的一个部位的目标部分的曝光不足,其成因是该部位曝光在受一已知缺陷单元影响的多个像素中的一个像素下。
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