[发明专利]增强的溅射靶合金组合物无效
申请号: | 200510076462.2 | 申请日: | 2005-06-15 |
公开(公告)号: | CN1712551A | 公开(公告)日: | 2005-12-28 |
发明(设计)人: | 阿卜杜勒-瓦哈卜·齐亚尼;程远达;贝恩德·孔克尔;迈克尔·巴托洛梅乌斯 | 申请(专利权)人: | 黑罗伊斯公司 |
主分类号: | C22C30/00 | 分类号: | C22C30/00;G11B5/66 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 郭国清;樊卫民 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种溅射靶,其中所述溅射靶包括Co、大于0-24at.%的Cr、大于0-20at.%的Pt、大于0-20at.%的B和大于0- 10at.%的X1,其中X1是选自Ag、Ce、Cu、Dy、Er、Eu、Gd、Ho、In、La、Lu、Mo、Nd、Pr、Sm、Tl、W和Yb的元素。所述溅射靶还包括X2,其中X2选自W、Y、Mn和Mo。另外,所述溅射靶还包括0-7 at.%的X3,其中X3选自Ti、V、Zr、Nb、Ru、Rh、Pd、Hf、Ta和Ir。通过溅射靶溅射的薄膜的矫顽力值为1000奥斯特至4000奥斯特。 | ||
搜索关键词: | 增强 溅射 合金 组合 | ||
【主权项】:
1.一种溅射靶,其中所述溅射靶包括Co、大于0-24at.%的Cr、大于0-20at.%的Pt、大于0-20at.%的B和大于0-10at.%的X1,其中X1是选自Ag、Ce、Cu、Dy、Er、Eu、Gd、Ho、In、La、Lu、Mo、Nd、Pr、Sm、Tl、W和Yb的元素。
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