[发明专利]光子微结构GaN基蓝光发光二极管的制作方法

摘要

一种光子微结构GaN基蓝光发光二极管的制作方法，包括如下步骤：首先在GaN样品上表面生长一层二氧化硅层，作为刻蚀GaN材料的掩模层；在二氧化硅掩模上旋涂上一层光刻胶，需要是对所用激光感光的光刻胶；取一短波长激光器作为光源，将短波长激光器激光用扩束透镜扩束，扩束后的光再经会聚透镜聚焦，然后照射在光子微结构模板上，光子微结构模板在会聚透镜后，二者间距离Z_T，该模板采用电子束曝光技术制作的模板，其上图形为光子微结构；激光通过光子微结构模板后，将带有光子微结构模板映像在与其距离为Z_T处的GaN样品上，将光子微结构模板的像成在GaN样品的光刻胶掩模上，通过干法刻蚀，将光子微结构可以刻蚀到GaN材料上。

主权项

1、一种光子微结构GaN基蓝光发光二极管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：首先在GaN样品上表面生长一层二氧化硅层，作为刻蚀GaN材料的掩模层；在二氧化硅掩模上旋涂上一层光刻胶，需要是对所用激光感光的光刻胶；步骤二：取一短波长激光器作为光源；步骤三：取一扩束透镜，将短波长激光器的激光扩束，扩束后的光再经会聚透镜聚焦；步骤四：经过透镜和会聚透镜的光束照射光子微结构模板上，光子微结构模板在会聚透镜后，二者间距离ZT，该模板采用电子束曝光技术制作的模板，其上图形为光子微结构；步骤五：激光通过光子微结构模板后，利用Talbot效应，将光子微结构模板映像在与其距离为ZT处的GaN样品上，将光子微结构模板的像成在GaN样品的光刻胶掩模上，即在光刻胶上形成光子微结构图形；步骤六：利用已经形成了光子微结构图形的光刻胶作为掩模，通过干法刻蚀，将光子微结构转移到二氧化硅层；步骤七：利用带有光子微结构图形的二氧化硅层作掩模，采用干法刻蚀方法将光子微结构转移到GaN材料上。