[发明专利]纳米丝发光器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200510076220.3 | 申请日： | 2005-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN1691362A | 公开（公告）日： | 2005-11-02 |
| 发明（设计）人： | 陈暎究;李晟熏;李孝锡;崔秉龙;金钟燮 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;B82B1/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种纳米丝发光器件及其制造方法。该纳米丝光发光器件包括在衬底上的第一导电层，在第一导电层上的多个纳米丝，每一个纳米丝在其两端具有p型掺杂部分和n型掺杂部分，在p型掺杂部分和n型掺杂部分之间具有光发射层，以及形成在纳米丝上的第二导电层。通过沿掺杂部分的周围吸收分子形成掺杂部分。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米丝发光器件，包括：衬底；所述衬底上的第一导电层；多个纳米丝，垂直地形成在所述第一导电层上，每一个纳米丝具有分开的p型掺杂部分和n型掺杂部分；和在p型掺杂部分和n型掺杂部分之间的光发射层；和形成在纳米丝上的第二导电层，其中所述p型掺杂部分和n型掺杂部分中的至少一个通过吸收沿对应纳米丝的周围的分子来形成。
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