[发明专利]半导体集成电路、升压电路和电容器有效
| 申请号： | 200510076199.7 | 申请日： | 2005-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN1707799A | 公开（公告）日： | 2005-12-14 |
| 发明（设计）人： | 渡边庆久 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105;G11C11/34 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 岳耀锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种半导体集成电路、升压电路和电容器，可防止在电容器周边产生的寄生电容所引起的特性降低。利用阱电容器来构成升压电路的电容器(532)。此外，以覆盖栅极(23)上的方式形成了用于把电压施加到阱电容器的n型阱(21)的第1布线层(26)的一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 升压 电路 电容器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路，包含电容器，其特征在于：在多个电容器串联连接的部分中，上述电容器的至少一部分作为阱电容器来形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
