[发明专利]切断熔丝结构的方法有效
| 申请号： | 200510075978.5 | 申请日： | 2005-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN1870238A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 吴炳昌 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/62 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种熔丝结构切断方法，该熔丝结构设于一基底之上，且该熔丝结构包括一导体，以及一膜厚均匀的绝缘层，覆盖于该导体的表面，该方法包含去除该导体表面部分的该绝缘层，以暴露部分的该导体表面，以及进行一化学反应，经由暴露部分该导体表面将该导体反应成一绝缘物。 | ||
| 搜索关键词： | 切断 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种切断熔丝结构的方法，该熔丝结构设于一基底之上，该基底表面形成有至少一介电层，且该介电层表面形成至少一导体，以及一膜厚均匀的绝缘层，覆盖于该导体的表面，该方法包括下列步骤：去除该导体表面部分的该绝缘层，以暴露部分的该导体表面；以及进行一热氧化反应，以完全氧化该导体成一氧化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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