[发明专利]半导体装置以及用于形成SRAM单元的方法无效
| 申请号： | 200510075665.X | 申请日： | 2005-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN1855472A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 黄健朝;陈豪育;杨富量;黄正权;钟堂轩 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L27/11;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置以及用于形成SRAM单元的方法。其中，该半导体装置包括：第一元件、第二元件、斜置接触型导线。该第一元件，其大致呈一第一方向。该第二元件，其大致呈一第二方向，其中该第二方向与该第一方向平行或垂直。该斜置接触型导线，其与该第一元件及该第二元件电性连结。本发明有效地减少了集成电路的布局面积。斜置接触型导线设计使得布局更加有弹性且更加紧密。接触型导线之间的相互干扰也得以降低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 用于 形成 sram 单元 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其包括：一第一元件，沿一第一方向配置；一第二元件，沿一第二方向配置，其中该第二方向与该第一方向平行或垂直；以及一斜置接触型导线，倾斜于该第一和第二方向，且与该第一元件及该第二元件电性连结。
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