[发明专利]A1GalnN单晶晶片无效
| 申请号： | 200510075594.3 | 申请日： | 2005-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN1715461A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 藤原伸介 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;H01L21/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 破裂被减轻以及利用率和成本效率得到改善的AlGaInN单晶晶片。一种六方晶的AlxGayIn1－(x+y) N (0＜x≤1，0≤y＜1，x+y≤1)单晶晶片，其特征在于，该晶片具有厚度T(cm)和具有表面积为S(cm2)的主面，该面积S和厚度T满足条件S≥10cm2和0.006S≥T≥0.002S。 | ||
| 搜索关键词： | a1galnn 晶片 | ||
【主权项】：
1.一种六方晶的AlxGayIn1-(x+y)N(0＜x≤1，0≤y＜1，x+y≤1)单晶晶片，其特征在于，所述晶片具有厚度T(cm)和具有表面积为S(cm2)的主面，所述的面积S和厚度T满足条件S≥10cm2和0.006S≥T≥0.002S。
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