[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200510075516.3 | 申请日： | 2005-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN1705124A | 公开（公告）日： | 2005-12-07 |
| 发明（设计）人： | 冈田修;定别当裕康 | 申请（专利权）人： | 卡西欧计算机株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/04 | 分类号： | H01L25/04;H01L23/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，其特征在于：具备底部件(1)；至少一个半导体构成体(2)，设置在所述底部件(1)上，并且具有半导体衬底(4)和设置在该半导体衬底(4)的多个外部连接用电极(5、12)；设置在对应于所述半导体构成体(2)的周围的所述底部件(1)的区域上的绝缘层(15)；和紧贴力提高膜(14a、14b)，设置在所述半导体构成体(2)的周侧面与所述绝缘层(15)之间、对应于所述半导体构成体(2)的周围的所述底部件(1)的区域与所述绝缘层(15)之间的至少之一中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，其特征在于：具备：底部件(substrate：1)；至少一个半导体构成体(2)，设置在所述底部件(1)上，并且具有半导体衬底(4)和设置在该半导体衬底(4)上的多个外部连接用电极(5、12)；设置在对应于所述半导体构成体(2)的周围的所述底部件(1)的区域上的绝缘层(15)；和紧贴力提高膜(14a、14b)，设置在所述半导体构成体(2)的周侧面与所述绝缘层(15)之间、和对应于所述半导体构成体(2)的周围的所述底部件(1)的区域与所述绝缘层(15)之间的至少之一中。
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