[发明专利]蚀刻方法有效
| 申请号： | 200510075222.0 | 申请日： | 2005-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN1707761A | 公开（公告）日： | 2005-12-14 |
| 发明（设计）人： | 五十岚义树;内藤和香子 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种蚀刻方法，其在保持通用型蚀刻优点的同时，能够避免由记忆效应造成的蚀刻特性的变动。其特征在于，进行第1蚀刻处理后，在腔室2的内壁面成为附着堆积物70的状态，以除去该堆积物70为目的进行清洗后，再进行第2蚀刻处理；清洗在晶片W上不施加偏压电源的零偏压条件下，用O2气体与N2气体的混合气体作为清洗气体，在腔室内的压力为50～200mTorr、O2流量5～15mL/min、以及N2流量100～400mL/min的条件下进行。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻方法，是对被处理基板上的由多个层形成的层叠膜，在同一处理容器中，无需搬出所述被处理基板而依次进行蚀刻处理的蚀刻方法，其特征在于：在各蚀刻处理之间，由清洗气体的等离子体进行除去处理容器内的堆积物的清洗处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
