[发明专利]氮化物半导体发光元件有效
| 申请号： | 200510075140.6 | 申请日： | 2005-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN1707890A | 公开（公告）日： | 2005-12-14 |
| 发明（设计）人： | 长谷川义晃;横川俊哉;石桥明彦 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323;H01S5/343;H01S5/00;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳;邸万杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化物半导体发光元件，它包括：由氮化物半导体构成的基板；与上述基板的上表面相接连地形成、由含p型杂质的氮化物半导体构成的半导体层；在上述半导体层之上形成、由含第1导电型杂质的氮化物半导体构成的第1包层；在上述第1包层之上形成的活性层；在上述活性层之上形成、由含第2导电型杂质的氮化物半导体构成的第2导电型包层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体发光元件，其特征在于：包括：由氮化物半导体构成的基板；与所述基板的上表面相连接地形成、由含p型杂质的氮化物半导体构成的半导体层；在所述半导体层之上形成、由含第1导电型杂质的氮化物半导体构成的第1包层；在所述第1包层之上形成的活性层；和在所述活性层之上形成、由含第2导电型杂质的氮化物半导体构成的第2导电型包层。
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