[发明专利]电路装置的制造方法无效
| 申请号： | 200510074720.3 | 申请日： | 2005-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN1705085A | 公开（公告）日： | 2005-12-07 |
| 发明（设计）人： | 高草木贞道;根津元一;草部隆也 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/44;H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李贵亮;杨梧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种电路装置的制造方法，可容易且高精度地进行导电图案从包覆树脂的露出。在本发明的电路装置的制造方法中，在形成于电路衬底(16)表面的导电图案(18)上形成部分向上方突出的突出部(25)。其次，利用包覆树脂(26)包覆也包括突出部(25)的电路衬底1 6的表面。然后，进行包覆树脂(26)的蚀刻，使突出部(25)的上面露出。然后，进行电路元件(14)的固定及电连接。最后，密封形成于表面的电路，完成混合集成电路装置(10)。 | ||
| 搜索关键词： | 电路 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种电路装置的制造方法，其特征在于，包括：在电路衬底表面形成形成有沿厚度方向突出的突出部的导电图案的工序；在所述电路衬底的表面形成包覆树脂，使其包覆所述导电图案的工序；通过从表面蚀刻所述包覆树脂，使所述突出部从所述包覆树脂露出的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三洋电机株式会社，未经三洋电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510074720.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
