[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 200510074293.9 | 申请日： | 2005-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN1707786A | 公开（公告）日： | 2005-12-14 |
| 发明（设计）人： | 汤泽健;汤泽秀树;高野道义 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/52;H01L21/70;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置，包括：形成了元件(12)的半导体部分；形成于半导体部分(10)上的绝缘层(20)；形成于绝缘层上的电极焊盘(30)；由在设置在绝缘层的接触孔内形成的导电材料构成，且用于与电极焊盘电连接的接触部(54)；按照在电极焊盘的第一部分(32)上具有开口部(62)，并且覆盖在第二部分(34)上的形式形成的钝化膜(60)；按照大于钝化膜的开口部，且一部分覆盖到钝化膜上的形式形成的凸块(70)；和介于在电极焊盘和凸块之间的阻挡层(64)。接触部在与凸块重叠的范围内避开电极焊盘的第一部分，而与第二部分连接。这样，可以提高电连接可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其特征在于，包括：形成了元件的半导体部分；形成于所述半导体部分上的绝缘层；形成于所述绝缘层上的电极焊盘；接触部，其由在设置在所述绝缘层的接触孔内形成的导电材料构成，且用于与所述电极焊盘电连接；钝化膜，其被形成为在所述电极焊盘的第一部分上具有开口部，并且覆盖在第二部分上；凸块，其被形成为大于所述钝化膜的所述开口部，且一部分覆盖到所述钝化膜上；和介于在所述电极焊盘和所述凸块之间的阻挡层；所述接触部在与所述凸块重叠的范围内避开所述电极焊盘的所述第一部分，而与所述第二部分连接。
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