[发明专利]形成具有凹陷沟道区的场效应晶体管的方法

摘要

形成场效应晶体管的方法包括在其中具有多个沟槽隔离区的半导体衬底上形成第一电绝缘层的步骤，该多个沟槽隔离区在其间限定有源区。然后构图第一电绝缘层，以在其中限定相对有源区延伸的多个第一开口。然后通过用电绝缘栓塞填充该多个第一开口，形成在其中具有多个第二开口的沟槽掩模，然后使用电绝缘栓塞作为刻蚀掩模，刻蚀已构图的第一电绝缘层。然后通过使用沟槽掩模作为刻蚀掩模刻蚀半导体衬底，在有源区形成多个沟槽。然后形成延伸到多个沟槽中的多个绝缘栅电极。

主权项

1.一种形成绝缘-栅场效应晶体管的方法，包括：在其中具有多个沟槽隔离区的半导体衬底上形成第一电绝缘层，该多个沟槽隔离区在其间限定有源区；构图所述第一电绝缘层，以在其中限定相对所述有源区延伸的多个第一开口；通过用电绝缘栓塞填充所述多个第一开口形成在其中具有多个第二开口的沟槽掩模，然后使用所述电绝缘栓塞作为刻蚀掩模，刻蚀所述已构图的第一电绝缘层；通过使用所述沟槽掩模作为刻蚀掩模刻蚀所述半导体衬底，在所述有源区形成多个沟槽；以及形成延伸到所述多个沟槽中的多个绝缘栅电极。