[发明专利]制作铜双镶嵌结构的方法无效
| 申请号： | 200510073972.4 | 申请日： | 2005-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN1866495A | 公开（公告）日： | 2006-11-22 |
| 发明（设计）人： | 邓宪哲;林进富;陈孟祺 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种制作铜双镶嵌结构的方法。首先提供一半导体衬底，其上包含有一双镶嵌孔洞设于一介电层中，且部分半导体衬底暴露于该孔洞底部，接着进行一物理气相沉积工艺于双镶嵌孔洞内形成一衬底保护层，再进行一原子化学气相沉积于衬底保护层上形成一氮化钽层，作为一阻障层，最后于双镶嵌孔洞中形成一铜金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 镶嵌 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作铜双镶嵌结构的方法，该方法包含有：提供一半导体衬底，该半导体衬底上包含有至少一介电层以及至少一双镶嵌孔洞设于该介电层中，且部分该半导体衬底暴露于该双镶嵌孔洞底部；进行一物理气相沉积工艺，于该双镶嵌孔洞侧壁以及暴露出的该半导体衬底上形成一具导电性的衬底保护层；进行一原子化学气相沉积(atomic CVD)工艺，于该衬底保护层表面形成一氮化钽(tantalum nitride，TaN)层，以作为一阻障层；以及于该双镶嵌孔洞中形成一铜金属层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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