[发明专利]等离子体处理装置和阻抗调整方法有效
| 申请号: | 200510073552.6 | 申请日: | 2005-06-02 |
| 公开(公告)号: | CN1705079A | 公开(公告)日: | 2005-12-07 |
| 发明(设计)人: | 平野太一 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/205;H01L21/3065;H05H1/46 |
| 代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明提供一种等离子体处理装置,可调整等离子体源侧的阻抗,可消除装置间或清洗循环间的阻抗误差。该等离子体处理装置在分割成内侧电极(38)和外侧电极(36)的上部电极(34)与下部电极(16)之间生成等离子体,并在晶片(W)上施行等离子体处理,包括以高频电流向内侧电极38流入的方式形成的谐振电路(101);设在向内侧电极(38)的供电线上的可变电容器(78);检测下部电极(16)的偏压(VPP)的检测器(89);和在形成等离子体的状态下,一边改变可变电容器(78)的电容,一边检测来自检测器(89)的信号而探出谐振电路(101)的谐振点,把谐振点处的可变电容器(78)的电容调整成成为基准的值的控制器(102)。 | ||
| 搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 阻抗 调整 方法 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体处理装置,具备:容纳被处理基板,能够真空排气的处理容器;在处理容器内对向配置的第一电极和第二电极;把等离子体形成用的高频电力供给到所述第一电极的高频电力供给机构;以及把处理气体供给到所述处理容器内的处理气体供给机构,在所述第一电极和所述第二电极之间生成处理气体的等离子体,并在被处理基板上施行等离子体处理,其特征在于,还具备调整等离子体源侧阻抗的阻抗调整机构,所述阻抗调整机构包括:以高频电流向所述第一电极流入的方式形成的谐振电路;设在所述第一电极的供电线上的可变阻抗部;检测用来掌握所述谐振电路的谐振点的装置状态的检测器;和控制部,在形成所述等离子体的状态下,一边变更所述可变阻抗部的值,一边检测所述检测器的装置状态的信号,探出所述谐振电路的谐振点,把所述谐振点处的可变阻抗部的值调整成成为基准的值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





