[发明专利]具有完全硅化闸电极的拉伸型通道CMOS装置及其形成方法有效
| 申请号： | 200510073532.9 | 申请日： | 2005-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN1797743A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | 詹博文;丘远鸿;陶宏远 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种具有完全硅化闸电极的拉伸型通道NMOS和PMOS装置对及其形成方法。该方法包含提供一半导体基板，该半导体基板包含具有个别闸结构的NMOS和PMOS装置区，该个别闸结构包含多晶硅闸电极；在具有该NMOS和PMOS装置区中至少一者的一通道区的任一侧上形成凹槽区；以一半导体硅合金回填部分该凹槽区，使施加一应变予该通道区；在该闸结构的任一侧上形成间隔片；将该多晶硅闸电极弄薄为硅化厚度，使容许透过硅化厚度的完全金属硅化作用；离子布植该多晶硅闸电极，以调整功函数；以及透过该硅化厚度形成金属硅化物，使形成金属硅化物闸电极。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 完全 硅化闸 电极 拉伸 通道 cmos 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种形成具有完全硅化闸电极的NMOS和PMOS装置对的方法，其特征在于其包含下列步骤：提供一半导体基板，该半导体基板包含具有个别闸结构的NMOS和PMOS装置区，该个别闸结构包含多晶硅闸电极；在具有该NMOS和PMOS装置区中至少一者的一通道区的任一侧上形成凹槽区；以一半导体硅合金回填部分该凹槽区，使施加一应变予该通道区；在该闸结构的任一侧上形成间隔片；将该多晶硅闸电极弄薄为硅化厚度，使容许透过硅化厚度的完全金属硅化作用；离子布植该多晶硅闸电极，以调整功函数；以及透过该硅化厚度形成金属硅化物，使形成金属硅化物闸电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
