[发明专利]半导体装置、铁电存储器及半导体装置的制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体装置，虽然是叠式的但甚至在达到必要的尺寸实现精细化时仍具有允许的漏泄电流。该半导体装置包括电容器部(102)，该电容器部(102)包括设置在位于衬底(100)上的杂质层(117)上的SiO₂层(119)上的下部电极(111)、设置在下部电极(111)上的铁电层(109)；以及设置在铁电层(109)上的上部电极(107)。该半导体装置还包括：SiO₂层(118)，使上部电极(107)和布线(105)电气绝缘；接触孔(103a)，形成W塞(113)，用于在杂质层(117)和下部电极(111)之间电连接；以及接触孔(103b)，用于在上部电极(107)和布线(105)之间电连接。在电容器部(102)的平面图中，接触孔(103a)和接触孔(103b)位于相互偏离的位置上。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于包括：叠式电容器部，包括设置在第一绝缘部件上的第一电极、设置在所述第一电极上的蓄电部件、和设置在所述蓄电部件上的第二电极；第二绝缘部，使所述第二电极和布线部件电气绝缘；第一接触孔，在所述第一绝缘部件上开口，并埋入用于电连接所述第一绝缘部件下的导电层和所述第一电极的导电部件；以及第二接触孔，在所述第二绝缘部件上开口，用于电连接所述第二电极和所述布线部件，其中，从所述叠式电容器部的平面图看，所述第一接触孔和所述第二接触孔在互相偏离的位置上开口。