[发明专利]半导体器件装配构件无效
| 申请号： | 200510072838.2 | 申请日： | 2005-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN1700452A | 公开（公告）日： | 2005-11-23 |
| 发明（设计）人： | 熊野丰;小掠哲义;山田彻 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/34;H01L25/04 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 所提供的一种半导体器件装配构件(1)包括：含有多层电绝缘基片(11a至11c)的电绝缘层(11)、第一半导体器件(1 2)、第二半导体器件(13)、设置在电绝缘层(11)的主表面(111)上的散热部分(14)、连接至散热部分(14)和第一半导体器件(12)的第一导热路径(15)，和连接至散热部分(14)和第二半导体器件(13)的第二导热路径(16)，其中第一半导体器件(12)设置在散热部分(14)的至少一部分和第二半导体器件(13)之间。这样提供了一种半导体器件装配构件，除了能高密度地装配多个半导体器件之外，该半导体器件装配构件还能高效地散掉由多个半导体器件产生的热量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 装配 构件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件装配构件包括：电绝缘层，包括多层电绝缘基片；第一半导体器件，安置在所述电绝缘层内；第二半导体器件，安置在所述电绝缘层内或所述电绝缘层的主表面上；散热部分，设置在所述电绝缘层的主表面上；第一导热路径，用于连接所述散热部分和所述第一半导体器件；和第二导热路径，用于连接所述散热部分和所述第二半导体器件；其中所述第一半导体器件安置在所述散热部分的至少一部分和所述第二半导体器件之间。
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