[发明专利]半导体发光器件用外延片和半导体发光器件

摘要

本发明提供使得由GaAs构成的p型复盖层的Zn不向披覆层和活性层扩散的发光器件用外延片，进而提供可以得到能够进行稳定的高输出工作和高温工作、且可靠性高的LED和LD的发光器件。本发明的半导体发光器件用外延片，是在n型衬底(1)上至少顺次层积n型披覆层(4)、活性层(6)、p型披覆层(7)、(9)、及p型复盖层(11)，且p型披覆层(7)、(9)的p型掺杂剂是Mg的半导体发光器件用外延片，所述p型复盖层(11)由从衬底侧顺次形成的掺杂Mg的层(11a)和掺杂Zn的(11b)的至少两个层构成。

主权项

1.一种半导体发光器件用外延片，是在n型衬底上至少顺次层积n型披覆层、活性层、p型披覆层、及p型复盖层，且p型披覆层的p型掺杂剂为Mg的半导体发光器件用外延片，其特征在于，所述p型复盖层由从衬底侧顺次形成的掺杂Mg的层和掺杂Zn的层的至少两个层构成。