[发明专利]半导体存储装置中基于存储体的自刷新控制装置及其方法有效
| 申请号： | 200510071912.9 | 申请日： | 2005-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN1705038A | 公开（公告）日： | 2005-12-07 |
| 发明（设计）人： | 许晃;金泰润 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/401 | 分类号： | G11C11/401;G11C11/406 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨红梅 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种用于具有多个存储体的半导体存储装置中的部分数组自刷新(PASR)控制装置，其包括：存储体非选单元，其具有用来接收多个PASR编码信号的多个存储体非选信号输出单元，其中各个存储体非选信号输出单元的输入端线和所述多个PASR编码信号的信号线相互交叉并选择性地相互耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 基于 刷新 控制 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于具有多个存储体的半导体存储装置中的部分数组自刷新(PASR)控制装置，其包括：存储体非选单元，其具有用来接收多个PASR编码信号的多个存储体非选信号输出单元，其中各个存储体非选信号输出单元的输入端线和所述多个PASR编码信号的信号线相互交叉并选择性地相互耦合。
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