[发明专利]使用电子附着从衬底除去物质的方法无效
| 申请号: | 200510071791.8 | 申请日: | 2005-04-29 |
| 公开(公告)号: | CN1770390A | 公开(公告)日: | 2006-05-10 |
| 发明(设计)人: | 董忠;齐宾 | 申请(专利权)人: | 气体产品与化学公司 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;C23C16/56;C23C16/00 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 范赤;赵苏林 |
| 地址: | 美国宾夕*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 这里公开了一种从衬底的至少一部分除去物质的方法,该衬底为例如反应室或半导体材料。在一个方面,提供一种方法,包括:提供具有表面涂覆以物质的反应室;提供接近反应室的第一和第二电极,其中第一和第二电极位于目标区域内;向目标区域中传送包括反应性气体的气体混合物;向第一和/或第二电极提供能量以在目标区域内产生电子,其中至少一部分电子附着于至少一部分反应性气体上,从而形成带负电荷的清洗气体;用带负电荷的清洗气体与物质接触,带负电荷的清洗气体与物质反应,并形成挥发性产物;以及从反应室除去该挥发性产物。 | ||
| 搜索关键词: | 使用 电子 附着 衬底 除去 物质 方法 | ||
【主权项】:
1.一种从反应室除去物质的方法,该方法包括:提供表面的至少一部分涂覆有物质的反应室;提供在反应室中或接近反应室的第一和第二电极,其中第一和第二电极位于目标区域内;将包括反应性气体的气体混合物传送到目标区域中,其中反应性气体具有大于0的电子亲和力;向第一或第二电极的至少一个提供能量以在目标区域中产生电子,其中至少一部分的电子附着到至少一部分的反应性气体上,从而形成带负电荷的清洗气体;用带负电荷的清洗气体接触该物质,其中带负电荷的清洗气体与该物质反应并形成至少一种挥发性产物;和从反应室中除去该至少一种挥发性产物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





