[发明专利]用于多频带低噪声放大器的输入匹配电路无效

专利信息
申请号: 200510071722.7 申请日: 2005-03-24
公开(公告)号: CN1681200A 公开(公告)日: 2005-10-12
发明(设计)人: 拉赫尔·巴蒂亚;寓相炫;方志熏;李成洙;李彰浩;乔伊·拉斯卡 申请(专利权)人: 三星电子株式会社;佐治亚科技研究公司
主分类号: H03F1/26 分类号: H03F1/26;H03F1/56
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 黄小临;王志森
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供一种多频带低噪声放大器,包括第一晶体管、输入匹配电路、和第一电容器。第一晶体管包括:电连接到第一电源的集电极,接地的发射极,和连接到第一电感器的另一端的基极,该第一电感器具有一端作为低噪声放大器的输入端。输入匹配电路连接在第一晶体管的集电极和基极之间。第一电容器连接到第一晶体管的集电极。输入匹配电路包括变抗器。输入匹配电路包括连接到变抗器的第二电容器。输入匹配电路包括连接到变抗器的第一电阻器。在该多频带低噪声放大器中,具有可变电容值的变抗器设置在输入端,从而很容易通过少量的偏压控制实现频带转换并且使得可能由控制信号引起的噪声最小。
搜索关键词: 用于 频带 低噪声放大器 输入 匹配 电路
【主权项】:
1、一种多频带低噪声放大器,包括:第一电感器,具有作为低噪声放大器的输入的第一端;第一晶体管,包括电连接到第一电源的集电极,接地的发射极,和连接到第一电感器第二端的基极;输入匹配电路,连接在第一晶体管的集电极和基极之间;以及第一电容器,具有连接到第一晶体管的集电极的第一端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社;佐治亚科技研究公司,未经三星电子株式会社;佐治亚科技研究公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510071722.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top