[发明专利]氮化镓基高亮度高功率蓝绿发光二极管芯片在审
| 申请号： | 200510071592.7 | 申请日： | 2005-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN1870307A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 王省莲;马欣荣;陈向东;肖志国 | 申请（专利权）人： | 大连路美芯片科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 116025辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种氮化镓基高亮度高功率蓝绿发光二极管芯片，利用蓝宝石做衬底，在其上生长多层GaInN/AlGaN/GaN量子阱结构，利用电子束蒸镀方法将透明导电层和P、N电极覆盖在台阶上，采用光刻技术制作出一种特殊的P电极和N电极横向结构，该结构使LED的电流均匀分布，强化LED的光发射功率、效率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 镓基高 亮度 功率 蓝绿 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
1、氮化镓基高亮度高功率蓝绿发光二极管芯片，由下至上依次为蓝宝石衬底(101)、氮化镓缓冲层(102)、氮化镓衬底替代层(103)、N型氮化镓层(104)、N电极层(105)、有源层(106)、铝镓氮层(107)、P型氮化镓层(108)、重掺杂P+型氮化镓(109)、透明电极层(110)、钝化层(111)、P电极层(112)；其特征在于发光二极管芯片的横向结构为：P电极的横向形状为T型与圆形所覆盖面积的组合(201)；透明电极层的横向形状为矩形减去一个3/4圆角(202)；N电极横向形状为封闭矩形环条所占面积，再加一个3/4圆所占面积。
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